Сотрудники Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН создали флешку на основе мультиграфена, которую они считают самой быстрой в мире.
Как передает Oxu.Az со ссылкой на vesti.az, принцип действия флеш-памяти основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в мультиграфене, что повышает ее быстродействие в два-три раза.
«Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – цитирует старшего научного сотрудника института Юрия Новикова «Наука в Сибири».
